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本文描述了用一种新的离子集团束技术在较低的温度下的Ｓｉ衬底上外延生长ＧａＡｓ的初步实验结果，实验表明：Ａｓ＾＋离子束轰击对于去除Ｓｉ上自然氧化层是有效的，在衬底温度为５５０℃得到ＧａＡｓ单晶。
用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs
【摘 要】
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本文描述了用一种新的离子集团束技术在较低的温度下的Ｓｉ衬底上外延生长ＧａＡｓ的初步实验结果，实验表明：Ａｓ＾＋离子束轰击对于去除Ｓｉ上自然氧化层是有效的，在衬底温度为５５０℃得到ＧａＡｓ单晶。
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年1期
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