【摘 要】
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采用分段提参的方法,针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi_2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应,也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效
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采用分段提参的方法,针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi_2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应,也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效应的影响。高频时,在直流特性基础上特别考虑了衬底以及金属寄生效应的影响。该模型直流拟合误差为1.26%,高频时在整个测试频段（1 GHz~67 GHz）内电阻、电容拟合误差分别为3.16%和2.25%。据我们所知,这是首次针对CoSi_2-Si肖特基二极管建立完整模型,考虑直流及高频特性并给出了相应的提参步骤。
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