【摘 要】
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本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 北京,北京,北京
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本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF_6/N_2中刻蚀WSi_x微米结构具有优越性。实验结果的重复性较好,并在高速场效应器件、光电集成器件(微米结构)制作中得到应用。
In this paper, the experimental results of reactive ion etching (ESR) of ESi_x in SF_6-Ar, SF_6-N_2 gas mixtures are reported. The effect of gas composition, gas flow rate, working pressure and input power on the etching rate was studied when WSi_x was etched in SF_6-N2 mixed gas. The results show that etching WSi_x microstructure in SF_6 / N_2 is superior. The repeatability of the experimental results is good and has been applied in the fabrication of high-speed field effect devices and optoelectronic integrated devices (micro-structures).
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