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The refratory silicides are of interest as contact and interconnect materials for VLSI to improve the characteristics o......
一、实验方法采用单靶DC溅射方去形成WSi薄膜。改变靶上的钨、硅材料有效面积调整组份比x。反应离子刻蚀形成肖特基接触图形,分层......
本文研究了用RF 溅射法形成之不同化学组份的WSi_x薄膜在退火前后的电阻率和内应力及WSi_x/n-GaAs肖特基接触的特性.结果表明:x的......
自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特......
本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙......
