应变Sil-xGex材料掺杂浓度的表征技术

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：easelin

【摘要】

：

在分析研究Sil-xGex材料多子迁移率模型的基础上，建立了Sil-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图．同时，通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验

【作者】

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戴显英张鹤鸣王伟胡辉勇吕懿舒斌

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年9期

【关键词】

：

Sil-xGex材料四探针电阻率掺杂浓度迁移率模型表征 Si1-xGex material four-probe array resistivity

【基金项目】

：

模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (No .99JS0 9.3.1DZ0 111)~~

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在分析研究Sil-xGex材料多子迁移率模型的基础上，建立了Sil-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图．同时，通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究，提出了采用四探针法表征Sil-xGex材料掺杂浓度的技术．此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容，且更加简捷．此表征技术的可行性通过实验及对Sil-xGex材料样品掺杂浓度的理化分析得到了验证．

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