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用工业型脉冲等离子体化学（ＰＣＶＤ）设备。在高速钢（Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ）和钴基硬质合金ＳＣ３０基材表面沉积了ＴｉＮ薄膜，用扫描电镜（ＳＥＭ）和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响，结果表明：随脉冲电压在５５０－７５０Ｖ之间逐渐增大，ＴｉＮ晶粒增大，膜层脆性增加，沉积速率提高。但膜层结合力下降：在６５０Ｖ以下膜基界面有一伪扩散层出现，通过６５０Ｖ后伪散层消失，这是改善膜基结合行为的关键因