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采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件．器件在波长1．55～1．60μm范围内，3dB带宽大于10GHz，直流消光比为25dB，插入损耗小于0dB，远场发散角为7．3°×18．0°，与单模光纤的耦合效率达3.0dB.
电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成
【摘 要】
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采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件．器件在波长1．55～1．60μm范围内，3dB带宽大于10GHz，直流消
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金重大研究计划（批准号：90101023）及国家重点基础研究发展计划（批准号：20000683-1）资助项目
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