【摘 要】
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在亚微米ＩＣ器件的铝金属化工艺中，采用了阻挡层和硅化物后，发现随着铝淀积温度的升高，铝的阶梯覆盖率有所提高，为克服高温淀积带来的问题，采用了两步的冷／热铝溅射和浸润层等工艺代替
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在亚微米ＩＣ器件的铝金属化工艺中，采用了阻挡层和硅化物后，发现随着铝淀积温度的升高，铝的阶梯覆盖率有所提高，为克服高温淀积带来的问题，采用了两步的冷／热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射，通过和一系列的比较实验，发现影响铝填充性能的主要因素为：热铝淀积温度、热铝淀积功率，Ｔｉ浸润层厚度及冷热铝厚度比，由此得到了适合于亚微米ＩＣ器件生产的金属化工艺优化条件。
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