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建立了GaNHEMT器件（氮化镓高电子迁移率晶体管）中子原位测试技术和辐照效应实验方法，开展了GaNHEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究，重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响，获取了GaNHEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律。结果表明，阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感参数，讨论了器件性能退化的各种辐射损伤机制。