【摘 要】
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采用直流磁控溅射法分别在预热的和室温下的玻璃衬底上制备了AZO薄膜,并对室温下制备的AZO薄膜进行了真空退火.使用X射线衍射仪、四探针测试仪、紫外-可见分光光度计和霍尔测
【机 构】
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河南城建学院 能源与建筑环境工程学院,河南 平顶山 467036;河南城建学院 材料与化工学院,河南 平顶山 467036
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采用直流磁控溅射法分别在预热的和室温下的玻璃衬底上制备了AZO薄膜,并对室温下制备的AZO薄膜进行了真空退火.使用X射线衍射仪、四探针测试仪、紫外-可见分光光度计和霍尔测试仪对这两种工艺条件下制备的AZO薄膜进行了表征,比较研究了两种热处理方式——衬底预热和真空退火对所制备的AZO薄膜结构和光电性质的影响.结果表明,衬底预热条件下制备的AZO薄膜有效抑制了(101)多晶相的形成;室温条件下制备的AZO薄膜有较多的(101)多晶相形成,经过真空退火热处理后,仍未能有效消除(101)多晶相.衬底预热制备出了厚度为380nm、方阻为20Ω/□的AZO薄膜,400～1200nm波段的平均透射率达到81.45％.真空退火后的AZO薄膜厚度为403nm、方阻为33Ω/□,400～1200nm波段的平均透射率达到81.9％.
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