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对低噪声放大器线性度提高的方法进行分析。基于导数交叠法,使两个晶体管偏置在不同区域,并利用这两个晶体管源端产生的相位差,抵消了3阶项电流。采用TSMC 90nm CMOS工艺,实现了一款L频段高线性度全差分低噪声放大器,测试得到输出3阶交调点达30.6dBm,增益为14.54dB,噪声系数为1.63dB,功耗为45mA@3.3V。