【摘 要】
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在过去的二、三年里,HgCdTe MBE工艺技术已经取得了显著的进展。在本文中,我们首先讨论具有现代工艺技术水平的HgCdTe MBE系统,然后,对目前提供使用的、由MBE方法生长的HgCdT
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在过去的二、三年里,HgCdTe MBE工艺技术已经取得了显著的进展。在本文中,我们首先讨论具有现代工艺技术水平的HgCdTe MBE系统,然后,对目前提供使用的、由MBE方法生长的HgCdTe层的结构、光学和电学性能作一概述。此外,对用MBE法生长的HgCdTe已经制备出的各种器件进行介绍。最后,我们讨论为焦平面应用而进一步完善HgCdTe MBE工艺技术所面临的问题以及未来的方向。
In the past two or three years, HgCdTe MBE process technology has made significant progress. In this paper, we first discuss HgCdTe MBE systems with state-of-the-art techniques and then outline the structures, optical and electrical properties of HgCdTe layers grown by the MBE method currently used. In addition, a variety of devices that have been prepared by the HgCdTe grown by the MBE method are described. Finally, we discuss the issues facing the HgCdTe MBE process technology for Focal Plane applications and the way forward.
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