【摘 要】
：
提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管(pHFET)概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气(2DHG)原理以改善GaAs的空穴输运特性.据此原理研制的器件可在室温下
论文部分内容阅读
提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管(pHFET)概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气(2DHG)原理以改善GaAs的空穴输运特性.据此原理研制的器件可在室温下工作,其实验结果为:室温下,饱和电流Idss＝61 mA/mm,跨导gm＝41 mS/mm;77 K下,饱和电流Idss＝94 mA/mm,跨导gm＝61 mS/mm.预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益,因而具有良好的应用潜力.
其他文献
提出了一种用电流传送器（CCⅡ+/-）构成的接地电容倍比器，该倍比器的电容量可经接地电阻连续调节，线性可调范围大，利用此接地电容，另添加一个电阻，可构成一阶低通滤波器，改变接地电阻
为满足长江修船业快速发展的需要，配套的大型修船坞工程被立项建设．由于船坞建设所在水域的特殊性和超大型船舶独有的操纵特性，超大型船舶进坞的安全操纵成为一个迫切需要解决的
通过光致发光（PL）和拉曼（Raman)光谱研究了分子束外延（MBE）生长的ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质。在80K到300K温度范围内，观测到了PL光谱中来自量子阱的自由激子发光，通过发光强
英国知名高等教育研究机构QS 2月26日发布2014年世界大学学科排行榜,作为最具影响力的全球大学排行榜之一,QS世界大学排行榜从2004年起连续十年发布权威大学排名。纵观2014年
利用PVM对建立的桥区水流场数学模型进行离散和数值求解，在此基础上，根据建立的船舶运动方程，对桥区船舶运动特性进行了数值模拟．通过实船试验，根据船舶漂移量数学模型，对建桥前后
重大疾病险给付条款所依据的医疗技术规范和确诊标准落后，无法体现目前医学界普遍通行的确诊要求，与现实的治疗手段相差甚远，不符合使重疾险被保险人能够在身患重大疾病时得到一
对0.1微米级MOS器件的制作方法进行了研究,并提出了两次曝光的新方法.文中还介绍了芯片制作所用版图设计和实际制作过程,得到了最小沟道长为0.12微米的MOS器件.最后对沟长0.1
在长三角地区，FDI远远大于社会资金的缺口，外资与内资在投资机会和商品市场上的竞争必然会对内资产生挤出效应。通过实证得出：FDI挤入挤出系数0.83，表明外商直接投资部分替代了国
用自组装的氨源分子束外延（NH3-MBE）系统和射频等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）系统在CD面蓝宝石衬底上外延了优质GaN以及AlGan/GAN二维电子气材料。GaN膜（1，2μm厚）室温电子迁移率
中国上市银行在股权性质上具有资本市场浓厚的转型期特征,在股权结构上又呈现出符合现代股份公司发展态势的寡头竞争型格局;其债务融资比重偏低,融资结构的公司治理效应尚未