用于无线PA的高频大功率Si1-xGex/Si HBT的设计和制作

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采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的SiGe HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2.5V时,fτ和fmax分别为1.8和10.1GHz.增益卢为144.25,BVCBo为9V.
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