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我们采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,分别研究了N型单晶锗和硅两种材料表面光洁度对10.6微米光吸收表观值的影响.结果表明,对于弱吸收的材料,随着材料表面光洁度变差,光吸收表观值明显增加,而对于光吸收较强的材料,随着表面光洁度变差,光吸收表观值反而明显减少.
半导体材料表面光洁度对光吸收表观值的影响
【摘 要】
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我们采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,分别研究了N型单晶锗和硅两种材料表面光洁度对10.6微米光吸收表观值的影响.结果表明,对于弱吸收的材料,随着材料表面光洁度变差,光吸
【机 构】
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南开大学物理系,南开大学物理系,南开大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1987年04期
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