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使用稀土铒作为吸杂剂可以有效地减少背景载流子浓度达一个数量级以上，和传统工艺条件相比生长溶液的烘烤时间从６０－７０小时减至３－４时间，同时获得了高纯度的铟镓砷外延层和高质量的异质结。用于光晶体管使其光增益高达４０００，和未使用铒吸杂剂相比增加近３倍。
稀土铒的掺入对光晶体管性能的改善
【摘 要】
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使用稀土铒作为吸杂剂可以有效地减少背景载流子浓度达一个数量级以上，和传统工艺条件相比生长溶液的烘烤时间从６０－７０小时减至３－４时间，同时获得了高纯度的铟镓砷外延层和高质量的异质结
【机 构】
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清华大学电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年10期
【基金项目】
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国家自然科学基金!（69486003）
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