端镜面镀膜对具有DC-PBH结构的MQW-LD光电性能的影响

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报告了具有DC-PBH(双沟平面掩埋异质结构)的MQW-LD(多量子阱激光器)端镜面镀膜对阈值电流Ith和激射波长λp的影响。指出:端镜面镀高反射膜HR(反射率R2=75%~90%),Ith可降低3.8~5.lmA,λp加长4nm左右;端镜面镀增透膜AR(反射率R1=10%~15%),Ith将增加3mA,波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。 The effect of the MQW-LD (Multiple Quantum Well Laser) end-mirror coating with DC-PBH (double trench planar buried heterostructure) on threshold current Ith and lasing wavelength λp was reported. It is pointed out that the end mirror is coated with highly reflective film HR (reflectance R2 = 75% ~ 90%) and Ith can be reduced by 3.8 ~ 5. lmA, λp increased about 4nm; end mirror AR coating (reflectivity R1 = 10% ~ 15%), Ith will increase 3mA, the wavelength change trend is not obvious. Analyze and discuss the physical mechanisms that lead to these changes. Experimental results and theoretical calculations are basically the same.
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