Electronic States of a Shallow Hydrogenic Donor Impurity in Different Shaped Semiconductor Quantum W

来源 :理论物理通讯:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lori1017
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遗传因子的施主杂质在方形、塑造 V 、抛物线的量井说的浅水疗院用飞机波浪基础在有效团的信封功能理论的框架被学习。开始的四个杂质精力层次和扎根的状态的有约束力的精力比与变化方法更容易计算。当井宽度是小的时,计算结果显示杂质精力快速随井宽度和减少的增加铺平减少。状态增加直到它的地面的有约束力的精力到达最大的值,然后当井宽度增加,减少。结果是有意义的并且能广泛地在各种各样的 optoelectronic 设备的设计被使用。
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