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二极管阵列结构存储相关卷积器的理论分析
二极管阵列结构存储相关卷积器的理论分析
来源 :传感器与微系统 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuhong
【摘 要】
:
对瞬态模式二极管阵列结构的声表面渡(SAW)存储相关卷积器进行了理论分析,建立了二极管阵列在瞬态模式下的充放电过程理论模型,分析和讨论了影响器件性能的主要因素,所得结论对这
【作 者】
:
赵杰
周光平
李晨
【机 构】
:
深圳职业技术学院电子工程系,中国电子科技集团公司
【出 处】
:
传感器与微系统
【发表日期】
:
2006年5期
【关键词】
:
瞬态模式
存储时间
二极管阵列
flash mode
storage time
diode array
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对瞬态模式二极管阵列结构的声表面渡(SAW)存储相关卷积器进行了理论分析,建立了二极管阵列在瞬态模式下的充放电过程理论模型,分析和讨论了影响器件性能的主要因素,所得结论对这种器件结构的设计和优化具有参考价值。
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