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椭偏光谱及在离子注入硅损伤研究中的应用
椭偏光谱及在离子注入硅损伤研究中的应用
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:limeng668
【摘 要】
:
介绍了椭圆偏振光谱(SE)的原理,给出了椭偏仪在离子注入半导体的辐照损伤研究中的应用和局限。研究表明,结合其它分析手段并建立精细的椭偏模型。椭圆偏振光7谱能定量测量各层结构的
【作 者】
:
阳生红
莫党
【机 构】
:
中山大学物理系
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2000年5期
【关键词】
:
椭圆偏振光谱
离子注入
半导体
硅损伤
SE Ion implantation Semiconductor Radiation damage
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介绍了椭圆偏振光谱(SE)的原理,给出了椭偏仪在离子注入半导体的辐照损伤研究中的应用和局限。研究表明,结合其它分析手段并建立精细的椭偏模型。椭圆偏振光7谱能定量测量各层结构的厚度、成分、气孔率和光学常数。
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