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采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍，利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫化的影响。
电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用
【摘 要】
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采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍，利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面
【机 构】
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中国科学院半导体研究所和表面物理国家重点实验实验室,中国科学院微电子中心研究部
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年7期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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