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通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的外延层结构参数对器件的二维电子气(2DEG)浓度,跨导等性能的影响。通过理论分析并结合TCAD软件最终确定AlGaN/AlN/GaNHEMT的最佳外延层结构。对栅长0.3μm和栅宽100μm的器件仿真结果表明,器件的最大跨导为418mS/mm,器件的最大电流密度为2300mA/mm,性能良好。