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GaN的缓冲层漏电问题严重影响AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)的高频性能和夹断特性.引入高阻GaN做缓冲层可以有效解决漏......
Al Ga As材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其Al组分可调、与Ga As晶格失配小、载流子迁移率高,被认为是最重要的光电子和电......
β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺.采用导模法分别制备......
通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的外延层结构参数对器件的......
氧化锌是一种宽禁带半导体，在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是P型氧化锌很难得到，其中一个原因在于本征氧化锌n......
