【摘 要】
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InP 与GaAs 一样,由于它的禁带宽度适中,能获得比较高的电子迁移率,因而作为一种新的电子材料普遍受到重视.Chadi及Duke等对一系列半导体化合物(110)表面的原子弛豫情况进行
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InP 与GaAs 一样,由于它的禁带宽度适中,能获得比较高的电子迁移率,因而作为一种新的电子材料普遍受到重视.Chadi及Duke等对一系列半导体化合物(110)表面的原子弛豫情况进行了理论及实验方面的研究,并提出了这些半导体化合物(110)表
InP, like GaAs, has been widely regarded as a new kind of electronic material because of its moderate forbidden band width and high electron mobility.Chadi and Duke et al. Yu conducted a theoretical and experimental research, and proposed these semiconductor compounds (110) table
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