位错对相关论文
前言 形状记忆合金在实际使用中并不希望发生塑性变形。但是另一方面,在半成品的加工成型过程、双向效应的训练过程中却需要变形;......
通过拉伸和电镜观察等方法研究了时效处理对快速凝固的 Al-2.4Li-2.4Cu,Al-2.4Li-2.4Cu-0.3Zr 和 Al-2.4Li-2.4Cu-0.7Zr 三种合金......
本文主要针对在塑性交形的多晶体和纳米晶体材料中,晶界向错运动伴随着位错对发射现象。通过建立能量方程,分析向错不同步发射位错......
在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以......
本文研究了含微量 Mg—Nd、Cd 的低压(16V)电容器阳极铝箔比电容。实验表明:成份位于一定范围的退火 Al-Mg-Nd 和 Al-Cd 合金箔,与......
γ′相的有序强化是高温合金中主要强化途径之一。这类强化效果直接与γ′相的反相畴界能大小有关。本文对一商用的高温合金(GH-99......
本文对Ⅰ/Ⅱ复合型加载条件下30CrMnSiA钢预充氢试样的氢致开裂门槛值进行了系统的研究。实验结果表明:随着复合比K_Ⅱ/K_Ⅰ的增加......
对用氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学 (PEC)腐蚀研究 ,发现了位错中止腐蚀的直接证据 ,并对其机理作了探讨......
利用透射电子显微镜，采用双倾双束技术和ｇ·ｂ不可见判据，分析了Ｔｉ－２５Ａｌ－１０Ｎｂ－３Ｖ－１Ｍｏ（ａｔ．－％）合金中α_２相（Ｄ０_（１９）结构）在２５—７００℃拉伸形变时的位错类型和滑移系．结果表明：室温拉伸......
用化学腐蚀配合扫描电镜（ＳＥＭ）对几种不同来源的国产ＧａＰＮ液相外延（ＬＰＥ）材料及各自的衬底的位错密度ＮＤ和发光亮度进行了测量．结果表明：样品的发光亮度随......
由于位错对砷化镓单晶的性质有害,因此对某些器件制作(尤其耿二极管制作)工艺过程在材料中引进的位错作了研究。这里所考虑的制作......
我国发光二极管(LED)的生产,当前存在两个迫待解决的问题;1) 效率低,2) 寿命短。本文在大量分析国内外生产的LED的基础上,阐述了结......
一、引言大规模和超大规模集成电路的发展,对硅单晶质量提出了越来越高的要求。直拉硅单晶中的杂质氧,使晶体在生长或器件制造的......
本文报道用高位错密度N_D=10~6～10~(10)废次复拉单晶硅制作太阳电池,研究了位错对太阳电池性能的影响。用损伤吸杂、重掺磷及氢化处......
在250和400℃之间用放射示踪剂研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的汞自扩散,发现扩散分布有两个分量,用接触式自动射线显迹法表明体晶样品的尾......
利用X射线衍射峰形分析方法,研究冷加工变形Pb-Ca-Sn合金的位错类型、密度和晶粒尺寸分布。结果表明:该合金的位错密度在1010cm-2......
利用X衍射法测定了65Mn钢淬火回火、等温淬火及回火和高温淬火回火组织的位错密度和氢脆抗力。讨论了回火过程中位错增殖机制、位......
将电弧熔炼V55Ti30Ni15合金在800℃热处理18 h,并在700℃下进行70%压下量的轧制,随后在950℃退火3 h,研究不同加工条件对合金显微......
期刊
本文研究了Fe-30﹪Ni合金奥氏体中的位错组态对马氏体长大的影响。结果表明，离散位错对马氏体长大并无阻碍作用，同时马氏体的穿过也不......
利用嵌入原子势，通过分子动力学模拟研究了单个刃型位错对ＮｉＡｌ热诱发和应力诱发马氏体相变的影响。单个刃型位错的应变区不能诱发马氏体......
