纳米硅异质结二极管

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lw4564
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在p型单晶硅衬底上沉积一层掺磷N^+型纳米硅薄膜,形成nc-Si:H/c-Si构成的N^+/p异质结构。文中报道了它的独特性能;其反向击穿电压可达75V,反向漏电流仅nA量级,同开关时间为1.5ns。可望应用于微波波段。由其I-V及C-V特性初步分析了结的性质及电输运机制。
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