【摘 要】
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利用直流反应磁控溅射法制备了厚度约100 nm成分单一的Fe3O4薄膜。对薄膜样品进行XRD测试,研究了不同缓冲层对薄膜结构的影响。结果表明：Fe3O4薄膜沉积在缓冲层上时,薄膜的各
【机 构】
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桂林电子科技大学材料科学与工程学院,广西信息材料重点试验室
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利用直流反应磁控溅射法制备了厚度约100 nm成分单一的Fe3O4薄膜。对薄膜样品进行XRD测试,研究了不同缓冲层对薄膜结构的影响。结果表明：Fe3O4薄膜沉积在缓冲层上时,薄膜的各衍射峰与Fe3O4的尖晶石结构的衍射峰相似,以（311）峰为主峰;对薄膜表面的AFM测试结果表明引入缓冲层使得薄膜晶粒分布均匀,表面平整度较好,且可以有效地降低薄膜表面粗糙度,在La2/3Ca1/3Mn O3上沉积时均方根粗糙度最小（RMS=1.47 nm）;通过对Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现引入缓冲层的Fe3O4薄膜
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