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IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征
IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:linshenxiu
【摘 要】
:
为了对IC进行有效的成品率预报及故障分析,硅片表面与光刻有关的缺陷通常被假设为圆形或方形的,然而,真实缺陷的形貌是多种多样的。本文对起初缺陷轮廓的盒维数及其描述真实缺陷方
【作 者】
:
姜晓鸿
郝跃
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1998年8期
【关键词】
:
IC
缺陷轮廓
设计
盒维数
Computer simulation
Crystal orientation
Defects
【基金项目】
:
863高科技项目,军事预研项目资助
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为了对IC进行有效的成品率预报及故障分析,硅片表面与光刻有关的缺陷通常被假设为圆形或方形的,然而,真实缺陷的形貌是多种多样的。本文对起初缺陷轮廓的盒维数及其描述真实缺陷方向的最小尺寸的方向角θmin的分布进行了检验。本文得到的结论有助于实现对硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟。
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