【摘 要】
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自1980年在英国召开首届半绝缘Ⅲ-Ⅴ族材料会议以来,研制适用于GaAs FET和IC的材料已取得很大的进展.半绝缘单晶材料的生长,尤其是非掺杂高纯热稳定的半绝缘GaAs单晶材料的制
【机 构】
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河北半导体研究所,南京固体器件研究所
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自1980年在英国召开首届半绝缘Ⅲ-Ⅴ族材料会议以来,研制适用于GaAs FET和IC的材料已取得很大的进展.半绝缘单晶材料的生长,尤其是非掺杂高纯热稳定的半绝缘GaAs单晶材料的制备引起人们的极大注意.为改善器件性能,提高成品率,并向GaAs IC商品
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