论文部分内容阅读
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40-85℃温度范围内,温度系数为6.9ppm/℃;3.0~3.6V电压区间,电源电压调整率系10.6ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA/D转换器的