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采用脉冲激光烧蚀技术，在引入垂直于烧蚀羽辉轴线外加直流电场的前后，分别在1，3，5Pa的室温氩气环境下沉积制备了一系列纳米硅晶薄膜，其中衬底与羽辉轴线平行．扫描电子显微镜（SEM）的检测结果表明，在同一直流电压下制备的纳米Si晶粒平均尺寸和面密度均随气体压强的增加而增大．保持气压不变，引入电场后所制备的纳米Si晶粒平均尺寸相对于无外加电场时增大，而面密度减小．结合纳米晶粒气相成核生长动力学，对实验结果进行了定性分析．