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用从头计算方法总能理论研究了6H—SiC（0001）（√3×√3）R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性．计算结果表明：GaN膜为Ga极性的纤锌矿结构；6H—SiC（0001）衬底表面台阶引起的GaN岛合并在薄膜中产生边界堆垛失配（SMBs），而这种SMBs缺陷随着薄膜生长厚度的增加可以消除．