【摘 要】
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目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术目前还不完全成熟。在后道工艺中,成品率受第
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目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术目前还不完全成熟。在后道工艺中,成品率受第二代低k介质材料与铜集成的影响。可以预见,90nm工艺中所遇到的问题在今后的65nm技术节点将会更为加剧?
At present, 90nm devices have entered the small batch production stage, but there are still a large number of obstacles to be overcome. In the previous process, the key layers of the graphics must be fabricated using 193 nm lithography, which is not yet fully mature. In the downstream process, yield is affected by the integration of second-generation low-k dielectric materials and copper. It is foreseeable that the problems encountered in the 90nm process in the next 65nm technology node will be more exacerbated?
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