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电阻栅结构负阻异质结双极晶体管
电阻栅结构负阻异质结双极晶体管
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kingstarKS
【摘 要】
:
设计并研制成功了具有电阻栅结构的n—InGaP/p—GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两
【作 者】
:
郭维廉
齐海涛
张世林
钟鸣
梁惠来
毛陆虹
宋瑞良
胡海洋
【机 构】
:
天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津工业大学信息与通信学院
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2005年6期
【关键词】
:
异质结双极晶体管
负阻器件
电阻栅
heterojunction bipolar transistor
negative differential resist
【基金项目】
:
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB11905)~~
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设计并研制成功了具有电阻栅结构的n—InGaP/p—GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测。
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