开发变形照明和移相掩模结合的新光刻技术

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据《Semiconductor World》1992年第9期(第11卷第11号)报道,日本三菱电机LSI研究所在第5届MPC(Micro Process Conference)上发表了开发变形照明与移相掩模结合的新光刻技术,进一步改善焦深和对比度。0.35μm的图形获得普通光刻法的2倍焦深。 According to “Semiconductor World”, 1992, No. 9 (Volume 11, No. 11), Mitsubishi Electric LSI Research Institute announced the development of a new combination of the modified illumination and the phase-shift mask at the 5th MPC (Micro Process Conference) Lithography technology to further improve the depth of focus and contrast. The 0.35 μm pattern obtained 2x the depth of focus of normal photolithography.
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