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采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,制备了高锗含量（原子百分含量）的氢化微晶硅锗（μc-Si1-x Gex：H）材料。通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex：H薄膜的结构及光电性能。在高离子轰击条件下制备的高锗含量的μc-Si1-xGex：H薄膜显示,锗的掺入速度有所降低,晶化率和吸收系数较高且光敏性明显提高;本征层锗含量x=77%的μc-Si1-xGex：H太阳电池的量子效率在长波段显著增强且光谱响应拓展至1 300nm,此时电