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从一样的晶片提取的高纯净 InP 的二件样品被正电子歼灭光谱分析在是以后检验,借助于做的热中子变化(NTD ) 处理了。与有在 300 K 的 246 ps 的平均正电子一生的同样成年的样品相比,高剂量做了一个 251 ps 和更低的剂量的平均一生做了在一样的条件下面测量的一个 248 ps,显示一些缺点在 NTD 过程被介绍了。退火的试验性的结果与增加退火的温度直到 550 在平均一生显示出稳定的减少