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利用正电子（ｅ＋）湮没寿命谱实验研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体样品的空位缺陷．碲溶剂法生长的样品，不论是ｎ型导电还是ｐ型导电都存在大量的Ｈｇ空位．经过合适的退火工艺，ｐ型材料转为ｎ型，同时对正电子的俘获效应减小，表现为正电子湮没平均寿命值减小１４—１７ｐｓ．若退火温度高于３５０℃，正电子湮没寿命值又增大，表明Ｈｇ空位浓度增加．得到ＨｇＣｄＴｅ中正电子的体寿命为τｂ＝２７２ｐｓ．根据正电子湮没寿命和电参数的测量结果，得出较适宜的退火温度为１８０—２２０℃．