正电子态相关论文
采用正电子湮没技术研究了不同煅烧条件下合成的β-C_S正电子寿命谱,按照正电子捕获理论,对实验所得寿命谱参数与β-C_S微观结构缺......
本文测量了各种InP样品中的正电子寿命谱,用正电子湮没率连续分布测量(CON-TIN分析)结合PATFIT分析正电子寿命谱,肯定了在n型和半绝缘型InP中有In空位VIn和P空位VP,而......
本文用正电子湮没寿命方法研究了塑性变形镍(含0.01%杂质)的回复过程的特点及杂质在缺陷回复过程的作用和影响,计算了形变为10%的试......
利用正电子(e+)湮没寿命谱实验研究了Hg1-xCdxTe晶体样品的空位缺陷.碲溶剂法生长的样品,不论是n型导电还是p型导电都存在大量的Hg空位.经过合适的退火工......