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调查在上植入 Ge 在氨下面轧了由 MOCVD 成年然后在 1100 点退火的电影周围被执行了。与增加 Ge 培植剂量，四座另外的山峰在 260 的波浪数字产生， 314， 428 并且在 Ramam 系列的 670cm-1。在 PL 系列，与在 2.66eV 和黄乐队集中的 PL 乐队相比的乐队边排放的相对紧张随植入 Ge 的剂量的增加减少。260 的模式和 314cm-1 被归因于散布的激活混乱的拉曼，而 428 的模式和 670cm-1 被分到空缺和空缺相关的建筑群的本地颤动。在 2.66eV 和黄