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[期刊论文] 作者：丁永庆,,
来源：农业科技与信息 年份：2016
文章主要从水利水电工程对陆生生态环境的影响、水利水电工程对气候的影响、水利水电工程对水文情势的影响等多个方面,解析水利水电工程对生态环境的影响,以及对我国水利水电...
[期刊论文] 作者：丁永庆,
来源：中国房地产业·下旬 年份：2019
【摘要】近年来，随着科技的发展，建筑行业引进了诸多新设备、新技术，推动着建筑行业的蓬勃发展。3D激光扫描技术主要是应用3D激光扫描仪对周围环境实施全方位的扫描，因此也被称为“3D实景复制”技术，目前在我国诸多行业得到了应用，为促进产业数字化发展做出了重要的贡......
[期刊论文] 作者：丁永庆,
来源：中国金属通报 年份：2020
在现阶段,通过研究酸在再生炉中反应的各个参数之间的联系,并在整个再生的过程中,结合影响氧化铁粉质量的因素,找出影响氧化铁粉质量降低的原因,并且针对这些原因进行对应举...
[期刊论文] 作者：丁永庆,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1989
中科院上海冶金研究所和机电部11所首次联合研制的MOCVD生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质结构材料工艺和特性于今年1月在上海冶金研究所通过鉴定。 HgCdTe材料是目前红外技术应...
[期刊论文] 作者：丁永庆,
来源：世界有色金属 年份：2021
本文以矿山开采区周边低效用地再开发为研究背景,运用无人机遥感倾斜摄影影像采集法获取高分辨率影像,并通过3D建模技术直观高效研究该区域的低效用地,为该矿区周边土地资源的开发提供科学依据,推进资源的合理利用.......
[期刊论文] 作者：谧丁,永庆,
来源：兰台世界：上旬 年份：1999
中国政府对澳门工商界人士也非常关心。早在１９５５年，就邀请“澳门工商界回国观光团”一行１２人回内地参观访问，参加的都是澳门的工商界名人。１９５６年１月３０日至２月７日，全国政协二届二次会议在北京举......
[期刊论文] 作者：丁永庆,胡金波,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1996
本文采用三甲基镓和三乙基镓为镓源的金属有机化合物气相沉积，获得了高质量的ＧａＡｓ外延层，生长速率随ＴＭＧ和ＴＥＧ的浓度增加而增高和理论计算基本相符，而与ＡｓＨｓ浓度无关，用自制的ＴＥＧ为镓源生长的ＧａＡｓ有较高......
[期刊论文] 作者：丁永庆,陈记安,
来源：稀有金属 年份：1993
用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电...
[期刊论文] 作者：丁永庆,王洪东,
来源：大连电子技术 年份：2001
介绍了ADSL的基本原理，讨论了ADSL用户端设备的实现方法。...
[期刊论文] 作者：王洪东,丁永庆,
来源：大连电子技术 年份：2001
介绍了ADSL这种宽带接入网技术，讨论了它的远终端（ATU－R）与用户主机连接方式及参考模型。...
[期刊论文] 作者：王海都,丁永庆,
来源：大连电子技术 年份：1997
本文介绍了２０００系列电视监视系统控制部分的设计思想、基本原理及软件设计特点详述了编码原理，接口电路等关键技术，阐明了该系统的实用性及推广价值。...
[期刊论文] 作者：丁永庆,毕戈雄,
来源：上海半导体 年份：1994
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[会议论文] 作者：丁永庆,彭瑞伍,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：陆凤贞,丁永庆,
来源：稀有金属 年份：1982
本文采用AsCl_3—Ga—H_2体系,研究了衬底晶面与窗壁方向、气相组分以及窗孔的几何形状、尺寸和深度等因素对GaAs气相选择外延生长表面形貌的影响。研究结果表明,如果在一定...
[期刊论文] 作者：徐飞,彭瑞伍,丁永庆,,
来源：Rare Metals 年份：1992
The growth rates of CdTe and CMT on GaAs and on CdTe / GaAs substrates were studied as a functionof temperature and gas composition. A Langmuir-Hinshelwood Mode...
[期刊论文] 作者：朱小爱,刘志鹏,丁永庆,
来源：河南中医 年份：2004
银屑病是一种常见的易复发的慢性皮肤病,由于其发病机理尚不清楚.所以治疗上各执一说,莫衷一是,有宗血分辨证,分血热、血毒、血虚、血燥、血瘀等;有宗脏腑辨证.纵观各家报道,...
[会议论文] 作者：丁永庆,彭瑞伍,杨卧华,
来源：1989年全国碲镉汞技术交流会 年份：1989
...
[期刊论文] 作者：丁永庆,彭瑞伍,汪光裕,
来源：应用科学学报 年份：2004
本文首次测量了用阳极氧化方法制得的N型InPMIS二极管的I-V和C-V特性.从I-V特性曲线计算出二极管的理想因子n值为1.4,势垒高空>0.75eV.用汞探针和阳极氧化逐层剥离的方法测得...
[期刊论文] 作者：丁永庆,陆凤贞,彭瑞伍,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1985
用能量为60kev而剂量不同的氧离子注入研究了GaAs无定形层的形成,并从光吸收法测量计算了形成无定形层所需的临界剂量和能量,分别为5×10~(14)O~+/cm~2和每原子38ev。用氧离...
[期刊论文] 作者：陆凤贞,丁永庆,彭瑞伍,
来源：应用科学学报 年份：1983
本文采用柠檬酸-H_2O_2-H_2O体系的电化学腐蚀法,对高阻GaAs衬底材料的选择腐蚀进行了研究.考察了电解液组分、腐蚀时间、电流密度对腐蚀速率的影响,井用扫描电镜法对腐蚀后...
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