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[期刊论文] 作者：东熠,
来源：半导体情报 年份：1995
本文简要介绍了1994年GaAs讨论会概况以及所展示的GaAsMMIC的进展，并侧重于其应用领域的介绍。...
[期刊论文] 作者：东熠,
来源：半导体情报 年份：1995
本文描述了用与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结双极晶体管制作的集成电路。ＨＢＴ的发射极尺寸为２μｍ×５μｍ，截止频率ｆ＿Ｔ和最高振荡频率ｆ＿ｍａｘ分别为９０ＧＨｚ和７０ＧＨｚ。用电流型逻辑（ＣＭＬ）制作了环形振荡器、触发器分频电路和双......
[学位论文] 作者：东熠,,
来源：南京信息工程大学 年份：2020
随着网络资源的日益庞大和信息更新速度的飞速增长,适应特定领域、特定需求的个性化搜索急需主题爬虫技术的支持。为了提高主题爬虫的搜索质量,本文主要研究了主题模型的构建...
[期刊论文] 作者：孟东熠,,
来源：新经济 年份：2015
在当今社会中,企业之间的竞争压力逐渐增大,那么如何在企业运营中增加自己的竞争力也成为了每一家企业必须思考的问题。在一家企业的运营过程中,资产结构对企业的发展具有非...
[学位论文] 作者：王东熠,,
来源：哈尔滨工程大学 年份：2021
随着现代装备系统的大型化、复杂化,传统的系统可靠性建模与评估理论,难以适用于同时存在“多故障模式相关”、“多状态”、“多阶段”等特点的复杂系统可靠性建模、评估工作。论文从单元的故障模式层出发,依次对上述“复杂特性”进行解耦分析,提出了一套考虑多......
[期刊论文] 作者：Jens.,JF,东熠,
来源：半导体情报 年份：1995
本文描述了用与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结双极晶体管制作的集成电路。ＨＢＴ的发射极尺寸为２μｍ×５μｍ，截止频率ｆＴ和最高振荡频率ｆｍａｘ分别为９０ＧＨｚ和７０ＧＨｚ。用电流型逻辑（ＣＭＬ）制作了环形振荡器、触发器分频电路......
[期刊论文] 作者：Kohki Hikosaka,东熠,,
来源：半导体情报 年份：1987
使用CCl_2F_2和He组成的腐蚀气体对GaAs-Al_xGa_(1-x)As(x=0.3)的选择性干法腐蚀进行了研究。腐蚀是在气体成份比P_(CCl_2F_2)/P_(HE)大于0.25、总压力为0.5～5.0Pa、功率密度...
[期刊论文] 作者：曾庆明,东熠,
来源：半导体情报 年份：1991
本文介绍了研制异质结双极晶体管(HBT)的工艺过程。使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs多层结构外延材料,采用离子注入隔离和湿法腐蚀技术,实现基极与发射极台面自对准工艺,研制出截...
[期刊论文] 作者：曾庆明,东熠,
来源：半导体情报 年份：1990
本文介绍了高电子迁移率晶体管(HEMT),赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)和用它们做的直接耦合场效应逻辑电路(DCFL)的结构、设计和制造。由11级环形振荡器测得在室温下的最小传播...
[期刊论文] 作者：薛东熠,王海峰,
来源：江苏商论 年份：2003
本文在分析第四方物流所面临的机遇与挑战的基础上，指出第四方物流企业必须构筑核心竞争力，并提出其主要内容和策略。...
[期刊论文] 作者：W·J·Ho,东熠,,
来源：半导体情报 年份：1991
为了制作高性能微波电路和数字电路,本文研究了自对准AlGaAs/GaAs HBT技术。这一技术可使晶体管具有高f_(max)(达218GHz)、高f_T(达93GHz)和在至少20GHz下高效(功率附加效率...
[期刊论文] 作者：P.M.Asbeck,东熠,焦智贤,,
来源：半导体情报 年份：1992
本文描述了Ⅲ-Ⅴ HBT技术在美国的现状,包括实验室和制造阶段两个方面。详细说明了HBT的最重要应用,并试图从其它Ⅲ-Ⅴ技术中获得的经验来估价该技术的未来。This article...
[期刊论文] 作者：东熠,刘景发,刘文杰,
来源：计算机工程 年份：2020
基于关键词匹配检索的传统搜索引擎爬全率和爬准率较低,而使用基于语义检索的主题爬虫方法容易偏离主题与陷入局部最优。针对该问题,提出一种采用多目标蚁群优化算法的主题爬...
[期刊论文] 作者：东熠, 刘景发, 刘文杰,
来源：计算机工程 年份：2019
...
[期刊论文] 作者：王福明 周东熠 李晓辉,
来源：解放军生活 年份：2013
作家刘兆林起步于内蒙古索伦河畔原守备三师炮兵团，从战士、班长、干事至著名作家，其置根边疆、逆境成才的个中艰辛与心路，同《啊，索伦河谷的枪声》等作品一道，至今仍鼓舞着诸多文坛新兵。冬雪压枝之际，在刘兆林的“听雪书屋”，笔者欣闻了如下故事。 【人物名片】 ......
[期刊论文] 作者：曾庆明,东熠,李晨,宋东波,张克强,,
来源：半导体情报 年份：1991
本文介绍了研制异质结双极晶体管(HBT)的工艺过程。使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs多层结构外延材料,采用离子注入隔离和湿法腐蚀技术,实现基极与发射极台面自对准工艺,研制出截...
[期刊论文] 作者：李献杰,曾庆明,东熠,蔡克理,
来源：半导体情报 年份：1996
分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表......
[期刊论文] 作者：曾庆明,东熠,李晨,冯国进,蔡克理,张克强,,
来源：半导体情报 年份：1990
本文介绍了高电子迁移率晶体管(HEMT),赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)和用它们做的直接耦合场效应逻辑电路(DCFL)的结构、设计和制造。由11级环形振荡器测得在室温下的最小传播...
[期刊论文] 作者：刘玲,肖军锋,吴洪江,东熠,刘贵增,廖斌,
来源：半导体情报 年份：1996
介绍了一套用于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ集成电路的ＣＡＤ软件，它可完成ＨＢＴ的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对ＨＢＴ运算放大器进行了模拟，为电路的研制提供了依据。A set of CAD software for AlGa......
[期刊论文] 作者：杨克武,东熠,蔡克理,冯国进,李晨,王树振,曾庆明,,
来源：半导体情报 年份：1987
一、引言为了满足超高速计算机、高速数据处理和卫星通信等高性能电子系统的迫切需要,人们一直在寻求和开发新的超高速和微波器件。利用异质界面二维电子气(2DEG)高迁移率特...
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