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[学位论文] 作者：严成锋,
来源：中国科学院上海光学精密机械研究所 年份：2006
寻求新型掺镱低阈值高功率和宽调谐超快激光晶体材料将是Yb激光材料的重点，对发展新型全固态高功率和超快激光具有十分重要的意义。稀土正硅酸盐系列Re2SiO5晶体(其中Re=Lu3+...
[学位论文] 作者：严成锋,
来源：陕西科技大学 年份：2003
研究AlO浓悬浮体的稳定分散机制及其流变性,同时也对壳聚糖凝胶注模体系进行了探讨.在偏碱性条件下,通过正交试验,对自制分散剂PAANH和PAM的应用条件进行分析,依据浓度及pH对...
[期刊论文] 作者：严成锋,,
来源：建材与装饰(下旬刊) 年份：2008
结合工程实践,探索适合我国国情和现时特点的施工质量管理方式和质量保证体系。In combination with engineering practice, explore construction quality management met...
[期刊论文] 作者：严成锋,王芬,
来源：陶瓷 年份：2003
对凝胶注模成形技术的各种凝胶体系进行了系统介绍,并对这些新凝胶体系的凝胶化原理、工艺过程及应用特点进行了较全面的分析和比较.指出了目前存在的问题及发展趋势....
[期刊论文] 作者：王芬,严成锋,
来源：中国陶瓷工业 年份：2003
采用生物大分子壳聚糖的凝胶系统,进行了凝胶注模成型氧化铝瓷的研究.傅立叶变换红外光谱(FT-IR)分析表明,在稀醋酸中壳聚糖和戊二醛通过亚胺键交联反应可以形成较高强度的凝...
[期刊论文] 作者：严成锋,赵广军,杭寅,徐军,
来源：人工晶体学报 年份：2005
铈掺杂稀土焦硅酸盐系列晶体Re2Si2O7 (其中Re=Lu3+、Y3+、Gd3+等)作为新型无机闪烁晶体材料,近来引起科研人员的关注。本文阐述了稀土焦硅酸盐系列晶体Re2Si2O7的结构、晶体...
[期刊论文] 作者：严成锋,赵广军,张连翰,徐军,
来源：无机材料学报 年份：2005
采用中频感应提拉法生长出尺寸为φ60mm×110mm的Ce:Lu1.6Yo.4SiO5(LYSO)晶体,与LSO晶体相比,LYSO晶体的优势是提高了晶体质量、降低了熔点和原料成本等.在室温下测试了L...
[期刊论文] 作者：卓世异,刘熙,高攀,严成锋,施尔畏,,
来源：无机材料学报 年份：2017
施主受主共掺杂的荧光4H—SiC可以通过复合发出可见光，影响其发光性能的一个重要因素是施主-受主掺杂的浓度。本研究通过PVT生长方法制备了3英寸N-B-Al共掺的4H-SiC晶体，采用Ra...
[期刊论文] 作者：张勇,陈之战,施尔畏,严成锋,刘学超,,
来源：无机材料学报 年份：2009
以SBA-15介孔二氧化硅为模板,以蔗糖为碳源制备了SiC纳米颗粒.研究了制备温度、升温速率和反应时间对SiC产物的影响.相对较低的制备温度、较快的升温速率、较短的保温时间,能...
[期刊论文] 作者：姜涛,严成锋,陈建军,刘熙,杨建华,施尔畏,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜（AFM）对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面...
[期刊论文] 作者：张华伟,施尔畏,陈之战,严成锋,陈博源,,
来源：无机材料学报 年份：2007
采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec,边缘部分为78.4arcsec.利用Rainan谱...
[期刊论文] 作者：严成锋,施尔畏,陈之战,李祥彪,肖兵,,
来源：无机材料学报 年份：2008
选用钒掺杂浓度为0．2at％的高质量6H-SiC晶体，电阻率为7．0×10^8Ω·cm，研制出超快大功率SiC光导开关．在脉冲宽度为20ns的光源激发下，分别测试了在不同的偏置电压和光能条件...
[期刊论文] 作者：严成锋,赵广军,杭寅,张连翰,徐军,
来源：物理学报 年份：2005
采用中频感应提拉法生长出Ce:Lu2Si2O7(Ce:LPS)晶体.通过x射线粉末衍射分析,晶体结构属单斜晶系的C2/m空间群.光学显微镜下可观测到晶体的(110)解理.在室温下测试了Ce:LPS晶...
[会议论文] 作者：刘学超;严成锋;黄维;杨建华;施尔畏;,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文采用上海硅酸盐研究所自制的2英寸(1英寸=25.4 mm)半绝缘6H-SiC晶体开展了光导开关的制备与性能研究。采用PVT法制备了钒掺杂的6H-SiC晶体，晶体结晶质量的高分辨X射线...
[期刊论文] 作者：高攀,忻隽,严成锋,黄维,刘学超,施尔畏,,
来源：中国照明电器 年份：2017
半导体照明行业已形成数百亿美元的产业规模,其中SiC衬底材料具有非常优异的性能,特别适合制造低能耗、大功率、长寿命的照明器件.本文主要围绕物理气相传输法(PVT)产业化制...
[期刊论文] 作者：王辉,严成锋,孔海宽,陈建军,忻隽,施尔畏,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
This study focuses on the effect of V-doping on the ferromagnetism(FM) of 6H-SiC powder.The X-ray diffraction results indicate that V is inserted into the 6H-Si...
[期刊论文] 作者：刘熙,高攀,严成锋,孔海宽,忻隽,陈建军,施尔畏,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由＂倒温度差＂区间的温度、持续时间和＂倒温度差＂绝对值综合决定。在升温程序初期可以采......
[会议论文] 作者：刘学超;忻隽;严成锋;高攀;孔海宽;施尔畏;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
碳化硅(SiC)晶体是一种宽禁带半导体材料,与以第一代硅(Si)、第二代砷化镓(GaAs)为代表的半导体材料相比,SiC晶体具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速率高...
[期刊论文] 作者：高攀, 刘熙, 严成锋, 忻隽, 陈建军, 孔海宽, 郑燕青,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
...
[会议论文] 作者：高攀,刘熙,陈建军,严成锋,忻隽,孔海宽,施尔畏,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2012
SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3].本文采用高温合成炉,选择Si粉和C粉作为反应物,研究真空预处理、合成温度、合成压力......
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