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[期刊论文] 作者：任敬川, 张明军, 刘万强,,
来源：科技风 年份：2012
Ti基准晶由于其特殊的晶体结构而成为具有前途的新型贮氢材料。Ti45Zr38Ni17准晶最大吸氢量时,氢原子与金属原子比约等于2,明显高于普通金属间化合物贮氢材料,但其平台压力低...
[期刊论文] 作者：任敬川,刘超,崔利杰,曾一平,,
来源：半导体光电 年份：2016
相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展...
[期刊论文] 作者：任敬川, 刘超, 崔利杰, 曾一平,,
来源：半导体技术 年份：2004
研究了用分子束外延设备在GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布(x=0~1)的Zn SexTe1-x单...
[会议论文] 作者：任敬川,刘超,崔利杰,曾一平,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是最重要的化合物半导体材料之一,它们通常具有立方闪锌矿结构和六方纤锌矿结构,从-0.3eV(HgTe)到3.9eV(ZnS)的直接带隙结构,通过能带工程几乎覆盖了从远...
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