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[学位论文] 作者：任殿胜,,
来源：天津大学 年份：2003
砷化镓（GaAs）半导体材料在国防、卫星通讯等领域有极其重要的作用。但由于砷化镓表面的特殊性和复杂性，限制了该类器件的发展。本文用各种现代表面分析技术着重研究了砷化镓表面......
[期刊论文] 作者：王为,任殿胜,
来源：天津大学学报：自然科学与工程技术版 年份：2000
对硫酸溶液中交、直流氧化铝多孔膜的组成及结构进行了研究。交、直流氧化铝多孔膜匀由（Ａｌ２Ｏ３）·Ｈ２Ｏ、Ａｌ２（ＳＯ４）３组成，此外，交流氧化膜形成过程交流负半周的存在，使得其成份中还含有一定量的Ｓ单质......
[期刊论文] 作者：王为,任殿胜,
来源：材料研究学报 年份：1997
用ＸＰＳ，ＵＰＳ，ＥＳＲ研究了Ｎｉ－ＺｒＯ２复合层中基质金属Ｎｉ与ＺｒＯ２微粒间的轨道相互作用，建立了相应的分子模型，关据此解释了Ｎｉ－ＺｒＯ２镀层 析氢电催化活性的机制。......
[期刊论文] 作者：任殿胜,华庆恒,
来源：分析测试学报 年份：1996
介绍了一种无需溅射、无需变角，只需一次简单的ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）窄扫描，即可根据谱图中氧化态和金属态的相对强度算出铝金属表面氧化铝的厚度。用该法测量了一系列不同方法处理的......
[期刊论文] 作者：任殿胜,严如岳,
来源：分析测试学报 年份：1996
用Ｘ射线光电子能谱仪对失效前后的自润滑轴承各种部件表面的化学组成及其状态进行了分析，结果表明失效前后表面性质差异较大，失效是由于自润滑膜破损耗尽所致。...
[期刊论文] 作者：任殿胜,华庆恒,
来源：分析测试学报 年份：1997
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究几种不同工艺制备的匀胶铬版表面，铬膜内部以主各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对铬版材料微观构成及宏观特性的影响。......
[期刊论文] 作者：任殿胜,严如岳,
来源：半导体情报 年份：1997
用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不可Ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态物相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优......
[期刊论文] 作者：任殿胜,华庆恒,
来源：化学物理学报 年份：1997
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此......
[期刊论文] 作者：李雨辰,任殿胜,
来源：现代仪器 年份：2005
本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度.发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳.氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致...
[会议论文] 作者：任殿胜,严如岳,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：任殿胜,严如岳,
来源：第三届全国电子能谱与固体表面化学学术讨论会 年份：1994
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[会议论文] 作者：严如岳,任殿胜,
来源：95全国表面与纳米科学技术讨论会 年份：1995
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[期刊论文] 作者：任殿胜,吴怡,荆学建,,
来源：半导体技术 年份：2008
用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发...
[会议论文] 作者：任殿胜,吴怡,荆学建,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文用X射线光电子能谱仪(XPS)系统研究了紫外光(UV/Ozone)激发下砷化镓(GaAs)表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成,氧化层的厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验...
[期刊论文] 作者：任殿胜,王建祺,吴文辉,
来源：高分子材料科学与工程 年份：1993
本文对氢氧化铝填充的聚丙烯复合材料进行了研究,实验表明,氢氧化铝/KH-792偶联剂/丙烯酸接枝聚丙烯/聚丙烯复合体系中的各项力学性能最佳,在填充60％的氢氧化铝时,仍可保持较...
[会议论文] 作者：任殿胜,严如岳,李雨辰,
来源：中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会 年份：1999
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[会议论文] 作者：任殿胜,王佳,高涛,刘文森,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文探讨了砷化镓晶片表面的微量杂质及其来源分析。着重介绍了全反射X射线荧光光谱(TXRF),气相分解-电感耦合等离子体发射光谱-质谱(VPD-ICP-MS),飞行时间二次离子质谱(TOF-...
[期刊论文] 作者：任殿胜,王为,李雨辰,严如岳,
来源：分析化学 年份：2003
用X射线光电子能谱(XPS),测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值,指认了砷化镓(GaAs)晶片表面的氧化物组成,计算了表面氧化层的厚度,定量分析了表面的化学组成;比较了几种不同...
[期刊论文] 作者：任殿胜,王为,李雨辰,严如岳,
来源：化学物理学报 年份：2004
用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光 臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚...
[期刊论文] 作者：任殿胜,王为,李雨辰,严如岳,
来源：液晶与显示 年份：2002
用X射线光电子能谱分析技术(XPS)研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成.结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含...
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