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[期刊论文] 作者：伊藤清男,蔡永才,
来源：微电子学 年份：2004
MOS存储器的高集成度就产品的水平来讲仍然继续以4倍/3年的比例增长。从维持该局面的技术准备情况来看,预计目前这种发展趋势还将继续下去。众所周知,带动这种高集成化技术...
[期刊论文] 作者：伊藤清男,角南英夫,孙伯祥,李家升,
来源：微电子学 年份：2004
大容量MOS动态RAM的进展显著。促进这种进展的基本技术之一是单管单元。存储单元的设计左右着存储器芯片的整个设计。根据字线和数据线(位线)的结构,可以将在16K位阶段中已成...
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