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[期刊论文] 作者：何玉表,
来源：中小型计算机 年份：1981
一、引言 LSI,特别是MOS-LSI以及LSI半导体存贮器及微处理机工业,是七十年代电子工业的核心,已发展成为第二次工业革命的动力。 以MOS-LSI为例,已由71年的第一代PMOS4004四...
[期刊论文] 作者：何玉表,
来源：微处理机 年份：1996
本文详细分析研究了九十年代前五年国外ＶＬＳＩ工艺技术与经济学方面的发展规律与现状，并与后五年的发展趋赂进行了全面预测。随后扼要总结了我国集成电路产业的发展近况，阐明了在严峻......
[期刊论文] 作者：何玉表,,
来源：微处理机 年份：1988
一.引言CMOS 集成电路即互补 MOS 型集成电路,系指在同一块半导体村底片上制造 n 型和 P 型两种不同导电沟道的 MOS 场效应晶体管,从而构成的集成电路。与 PMOS 及 NMOS 相...
[期刊论文] 作者：何玉表,,
来源：微处理机 年份：1993
本文对一种新型ASIC——FPGA电路作了综合性分析与评述,包括结构类型,主要生产厂家、产品系列及其性能数据,设计与开发工具,应用领域与市场预测等。最后就如何及时开发我国的...
[期刊论文] 作者：何玉表,,
来源：微处理机 年份：1989
本文是一项软科学研究成果,对最近国处迅速发展起来的 RISC 技术和 RISC 微机芯片电路作了综合性地分析与研究,包括 RISC技术的发展背景、结构特点、与传统 CISC的比较、RISC...
[期刊论文] 作者：何玉表,,
来源：微处理机 年份：2004
本文研究了用于 LSI 的栅电极、互连材料及掺杂扩散源的掺磷硅化钼的性质。掺磷的硅化钼膜是利用专门设计的 Mo、Si 复合靶,在 PH_3/Ar 气氛中进行复合溅射淀积的。PH_3在溅...
[期刊论文] 作者：何玉表,,
来源：微处理机 年份：1982
Ⅰ.引言美国 DEC(数字设备公司)去年发表了其 PDP—11系列中的微处理器新产品单片T—11,今年又发表了以 T—11为核心的单板16位微型计算机 SBC-11/21。T-11是 DEC在其 LSI-1...
[期刊论文] 作者：何玉表,,
来源：微处理机 年份：1979
一、引言半导体工艺实验室中开发的新工艺,大体上每隔二、三年达到成熟阶段,并将之转入 LSI(大规模集成电路)的生产制造中。LSI 技术从七十年代系初期的高阈值 P 沟边铝栅 M...
[期刊论文] 作者：何玉表,,
来源：微处理机 年份：1983
半导体技术的发展已有能力把电路性能和集成度至少比以前高一个数量级的微处理器集成到单个硅片上。Motorola 的MC68000是第一个这样的 VLSI 微处理器系列。该公司采用最新...
[期刊论文] 作者：何玉表,,
来源：微处理机 年份：1979
一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多晶硅工艺,并多结合局部氧化等平面隔离工艺...
[期刊论文] 作者：F.B.Jenne,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1979
比半导体读/写存贮器由单元阵列组成,每个单元有一个有源元件,即绝缘栅场效应晶体受,晶体受作在 V 形槽内,槽的正上方有一个源区或漏区,而另一源区或漏区位于隐埋的存贮电容...
[期刊论文] 作者：T.J.Rodgers,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1979
提供一种 MOS 晶体受,有表面扩散型漏及衬底公共源。源漏区中间有一重掺杂基区层和一轻掺杂空间电荷区。栅极是形成在 V 型槽的斜倾面上,V-糟(?)过晶体受延伸进入衬底,使基区...
[期刊论文] 作者：M.R.tter,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1979
对于建造以微型计算机为基础的系统设计者来说,今年将会从超大规模集成电路中得到好处,而又不必对他们所熟悉的任何结构概念去作修改。这主要归功于新近发展起来的 VLSI(超...
[期刊论文] 作者：K.Hoffmann,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1979
开发出一种七次光刻 V-MOS 工艺,用来制造有自对准V-MOS 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,单受单元的面积为150um~2。位线上的有效信...
[期刊论文] 作者：何玉表,张文肃,
来源：微处理机 年份：1997
综述了新一代微控制器与嵌入式ＲＩＳＣ处理器的主要特点和发展方向，详细介绍了目前国内外最流行的不同字长的系列机种、结构特点、专有特性及系统应用等；最后它们的世界销售市场与国内......
[期刊论文] 作者：何玉表,张文肃,
来源：微处理机 年份：1997
对微米、亚微米及深亚微米ＣＭＯＳ工艺技术、包括原始硅材料、设计规则、典型器件结构、典型工艺流程和关键工艺技术等，作出全面地概括地分析与研究。...
[期刊论文] 作者：张文肃,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1993
本文作为一项软科学研究成果,阐述分析了当代 RISC 处理器芯片体系结构上的两大突破—超流水线和超标量两种不同的设计技术,以及由此两种体系结构而导致第三代 RISC 处理器的...
[期刊论文] 作者：石焱,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1991
本文对 ASIC 技术作了全面地综述与分析研究,内容包括 ASIC 的发展背景、设计类型与性能特点、工艺技术与 Foundry 线、设计技术与 CAD中心、发展趋势与应用市场等,最后对我...
[期刊论文] 作者：K·A·El-Ayat,何玉表,,
来源：微处理机 年份：1980
编者按——象大多数主机厂家所证实的那样,解决I/O控制问题的合理方法是采用智能I/O子系统。Intel的8089使微型计算机系统实现了这种能力。Editor’s Note - As is validat...
[期刊论文] 作者：坟素娟,何玉表,
来源：半导体技术 年份：1997
综述了低电压低功耗ＣＭＯＡＳＩＣ技术，包括低压ＡＳＩＣ器件的主要类型及特点；选择的产品系列及其主要的工艺，性能参数与专用牧场生；芯片功耗的估算方法；高门密度ＡＳＩＣ芯片低电压低耗自动化设计与测试技术，最......
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