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[学位论文] 作者：余学功,,
来源：浙江大学 年份：2004
深亚微米集成电路（ULSI）的快速发展对硅单晶材料提出了“大直径，无缺陷”的要求，使得大直径直拉硅的“缺陷工程”受到了巨大挑战。这主要涉及三个方面：第一，传统的3-5mm的Dash缩颈......
[会议论文] 作者：余学功,
来源：2014第十届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2014
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[会议论文] 作者：余学功,
来源：第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2012
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[会议论文] 作者：余学功,
来源：2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2018
The LID defect in CZ silicon consists of substitutional boronatom and stagger type oxygen dimer.The LID defect in mc silicon is related to the metalimpurities or their aggregation at the structural de...
[期刊论文] 作者：刘秀琼,余学功,
来源：中国科教创新导刊 年份：2014
摘要：随着产业转型升级，学生学习环境条件的改善，学习途径的增多，教师如何利用现有资源提高课程教学效果，培养创新型研究人才？作者以半导体制造技术课程为例，从教学内容、教学方法、考核方式等方面进行教育教学改革。实践证明，课程教学改革后，教学效果明显提高。 关键......
[会议论文] 作者：原帅,余学功,
来源：第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 年份：2014
降低硅片破碎率是降低晶体硅太阳电池成本的一种重要方法。本文制备了具有单一晶界的直接键合硅来研究单一晶界对晶体硅机械性能的影响，键合样品两侧电阻率分别为5、25 Ω·cm、5Ω·cm 一侧具有氧沉淀。......
[会议论文] 作者：余学功, 杨德仁,,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[会议论文] 作者：余学功, 杨德仁,,
来源： 年份：2004
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[会议论文] 作者：余学功,杨德仁,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文研究了一种P 型硅中低浓度的铜的瞬态电容测试技术，通过观察间隙铜离子在电场作用下引起的电容瞬态变化行为，从而获得铜浓度的定量测量以及其扩散速率等信息，精确测得了在低......
[会议论文] 作者：余学功,杨德仁,
来源：中国晶体学会第五次全国会员代表大会暨学术年会 年份：2012
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[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,等,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷（Voids)的影响，样品在1050－1200℃范围进行氢退火，退火前后样品上的流水花样缺陷（FPD）和晶体原生粒子（COP）在腐蚀后分别用微分干涉光学显......
[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,等,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮（N）对原生氧沉淀的影响，通过高温一步退火（1050℃）和低-高温两步退火（800℃+1050℃）发现在掺N直拉（NCZ）硅中氧沉淀的行为与一般直拉（CZ）硅是大小不相同的......
[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,等,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中，空洞型原生缺陷（voids）的分布行为和其退火性质。从两种晶体不同位置取样，观察与大尺寸voids相关的流水花样缺陷（FPD）沿晶体轴向的分布，然后在1050－1......
[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,等,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了p型含氮以及不含氮直拉（CZ）硅中热施主（TD）以及氮氧（N-O）复合体的电学性质。硅片在350-850℃范围进行不同时间的退火后，利用四探针和通过室温傅里叶红光谱（FTIR）分别测量其载流......
[期刊论文] 作者：余学功,杨德仁,等,
来源：半导体情报 年份：2001
空洞型（Void）原生缺陷在大直径直硅单晶中的重要性日渐突出，本文在论述大直径硅单晶中Void缺陷基本性质的同时，详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素（氧，氮，碳，氢）杂质的相互作......
[会议论文] 作者：陈鹏,余学功,杨德仁,
来源：中国可再生能源学会2011年学术年会 年份：2011
文研究了掺锗直拉单晶硅（GCz）中锗对热施主形成的影响。实验得出普通掺硼直拉单晶硅（Cz）热施主形成激活能为1.4eV，而在GCz 中形成激活能为1.9eV。低温傅里叶红外光谱（FTIR）显示含较......
[会议论文] 作者：余学功,陈鹏,杨德仁,
来源：第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2013
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[会议论文] 作者：陈鹏,余学功,杨德仁,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
本文通过镓和磷共掺杂来实现补偿,研究了补偿对晶体性质的影响.研究发现镓磷补偿降低了空穴(多子)和电子(少子)的迁移率,有意思的是迁移率的下降值远低于基于Klaassen 模型的...
[期刊论文] 作者：郑雪, 余学功, 杨德仁,,
来源：物理学报 年份：2013
利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了α-Si:H/SiNx叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池.用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果,通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝...
[期刊论文] 作者：余学功,马向阳,杨德仁,
来源：半导体学报 年份：2003
主要研究了快速热处理(RTP)对大直径直拉(CZ)硅片的清洁区(DZ)和氧沉淀的影响．通过在Ar、N2、O2三种不同气氛中，在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与...
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