搜索筛选:
搜索耗时0.7820秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：俞谦荣,
来源：上海大学 年份：2001
该文通过大量的实验和测试对非掺杂和Ag掺杂P型HgCdTeLPE材料的电学性质进行了研究,研究内容和结果如下:1.通过带ZnSCap层退火的碲镉汞外延材料电学参数的研究,发现Cap层样品...
[学位论文] 作者：俞谦荣,
来源：上海大学 年份：2001
该文通过大量的实验和测试对非掺杂和Ag掺杂P型HgCdTeLPE材料的电学性质进行了研究,研究内容和结果如下:1.通过带ZnSCap层退火的碲镉汞外延材料电学参数的研究,发现Cap层样品的电学参数的测试方法对测量结果有很大的影响,结果表明用盐酸去除Cap层后在碲镉汞表面......
[期刊论文] 作者：隋妍萍,于广辉,俞谦荣,齐鸣,
来源：光电子．激光 年份：2006
在射频（RF）等离子体辅助分子束外延（MBE）系统中，采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料；通过研究Ⅲ／Ⅴ比的调节对GaN生长的影响，确定了微富Ga的MBE生长GaN的优......
[期刊论文] 作者：俞谦荣,杨建荣,黄根生,陈新强,夏义本,何力,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
利用SIMS和变温霍尔测量手段对p型Hg0.77Cd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究.结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是...
相关搜索：
