p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：plateau_t

【摘要】

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利用SIMS和变温霍尔测量手段对p型Hg0.77Cd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究.结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是

【作者】

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俞谦荣杨建荣黄根生陈新强夏义本何力

【机构】

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上海大学材料科学与工程学院,中国科学院上海技物所半导体材料器件研究中心

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

：

霍尔测试二次离子质谱电学性质银掺杂红外探测器 P型碲镉汞液相外延材料 AG掺杂 HgCdTe doping Hall tests SIMS elect

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利用SIMS和变温霍尔测量手段对p型Hg0.77Cd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究.结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的,掺杂后,p型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小,从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定.

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